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非线性元件伏安特性实验仪

  • 更新时间:  2022-05-06
  • 产品型号:  DPASD-FD-UI-B
  • 简单描述
  • DPASD-FD-UI-B非线性元件伏安特性实验仪具有以下优点:

      1.仪器采用各元件、仪表、电源分立组装,尽量使学生多动手,直观并且容易理解。

      2.可成三到四个直流电重要实验,内容丰富,仪器的利用率。

      3.具有电压或电流微调装置,测量伏安特性曲线数据点间隔小,测量准确度。
详细介绍

1.非线性元件伏安特性实验仪     型号;DPASD-FD-UI-B

非线性元件伏安特性曲线的测量是校基础物理实验课程的个重要实验,也是科研中常用电磁学实验方法之。本仪器是根据校物理实验教学大纲中多个电学实验的要求设计而成。 

DPASD-FD-UI-B非线性元件伏安特性实验仪具有以下优点:

  1.仪器采用各元件、仪表、电源分立组装,尽量使学生多动手,直观并且容易理解。

  2.可成三到四个直流电重要实验,内容丰富,仪器的利用率。

  3.具有电压或电流微调装置,测量伏安特性曲线数据点间隔小,测量准确度。

  4.仪器设有保护电阻,待测元件电流般不过限电流,元件不易损坏,仪器和元件安可靠。

  应用本仪器可以成以下内容:

  1.分压和限流实验。

  2.线性和非线性元件(电阻、二管、稳压管、钨丝灯泡)的伏安特性实验。

  3.发光二管光电特性实验。

  4.仪器配通用元件插座,可根据需要测量其它各类元件(如光敏二管、硅光电池等)的伏安特性曲线。(元件可自备或选配)

  仪器主要术参数:

  1.直流电源二组 5V,输出电流≤0.5A;

  2.直流数字电压表 量程1.999V,分辨率0.001V;量程19.99V,分辨率0.01V

  3.直流数字电流表 量程199.99mA,分辨率0.01mA

  4.待测元件 电阻、二管、稳压管、发光二管等,备通用插座可插自备元件

 


2.磁电阻传感器与地磁场测量实验仪     型号;DP-FD-HMC-C

地磁场作为种天然磁源,在军事、航空、航海、业、学、探矿等科研中有着重要用途。本仪器采用新型坡莫合金磁阻传感器测量地磁场的重要参量,通过实验可以掌握磁阻传感器定标以及测量地磁场水平分量和磁倾角的方法,了解测量弱磁场的种重要手段和实验方法。

  本仪器与其他地磁场实验仪相比具有以下优点:

  1 .在原有 2 型的基础上,增加了底座的转盘。转盘经过心设计,可自由转动,方便地调节水平和铅直。

  2 .新型磁阻传感器的灵敏度达 50V/T ,分辨率可达 10  10  8 T ,稳定性好,便于学生掌握新型传感器定标,及用磁阻传感器测量弱磁场的方法,测量地磁场参量准确度。

  3 .本仪器不仅可测地磁场水平分量,而且能测出地磁场的大小与方向,这是正切电流计等地磁场实验仪所不能达到的。

  本仪器可用于校、中专的基础物理实验、综合性设计性物理实验及演示实验。

  应用本仪器可以成以下实验:

  1 .熟悉磁阻传感器测量弱磁场的方法,测量磁阻传感器的灵敏度。

  2 .测量地磁场的水平分量、竖直分量以及磁倾角的大小,计算地磁场磁感应强度。

  仪器主要术参数:

  1 .磁阻传感器 作电压 5V 灵敏度 50V/T

  2 .亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数 500 匝  半径 10cm

  3 . 直流恒流源 输出电流 0 - 199.9mA  连续可调,液晶显示

  4 . 直流电压表 量程 0 - 19.99mV  分辨率 0.01mV  液晶显示

 

 

3.袖珍型雷击计数器测试器 雷击计数器测试器 雷击计数器检测仪

型号:DP-GCLG  

  几何尺寸:Ф36×375,头为Ф50×100,重量为780克

  电源:DC6V,用号电池四节可供2000次的放电测试。

  若电源不足会延长充电时间,拧开后盖即可更换电池

  输出电压: 800~1000V

  电源开关设在器身与头之间,意方向旋转 90 度,听到“嚓嚓"声即表示接通电源,反之为关闭电源。使用前在尾插入接地线,接通电源后绿灯亮,待红灯亮(约 3-5 秒)即可通过头伸缩导电杆(可根据计数器安装度在未接通电源时拉出)对雷击计数器行测试。无须关闭电源可反复测试(每次充电时导电杆应离开试品)

 


4.磁电阻效应实验仪     型号;DP-FD-MR-C

磁电阻传感器由于灵敏度、抗干扰能力强等优点在业、交通、仪器仪表、疗器械、探矿等域应用十分广泛,如:数字式罗盘、交通车辆检测,导航系统、位置测量等。其中典型的锑化铟( InSb )传感器是种价格低廉、灵敏度的磁电阻传感器,有着十分重要的应用价值。

  本实验装置结构简单、实验内容丰富,使用两种类型的传感器:利用砷化镓( GaAs )霍耳传感器测量磁感应强度,研究锑化铟( InSb )磁电阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。

  应用该实验仪可以成以下实验:

  •  测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。

  •  作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。

  •  对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别行拟合。

  •  研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性(倍频效应),观测其*的物理现象。

  该仪器具有研究性和设计性实验的特点,可用于理科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验,也可用于演示实验。

  仪器主要术参数:

  1 .磁电阻传感器作电源 输出电流 0 - 3mA 连续可调。

  2 .数字式毫特仪 测量范围 0 - 199.9mT  分辨率 0.1mT ,液晶显示

  3 .数字电压表 测量范围 0 - 1999mV  分辨率 1mV ,液晶显示

 


5.霍耳效应实验仪     型号;DP-FD-HL-5

霍耳元件因其体积小,使用简便,测量准确度,可测量交、直流磁场等优点,已广泛用于磁场的测量,并配以其他装置用于位置、位移、转速、角度等物理量的测量和自动控制。本霍耳效应实验仪主要帮助学生了解霍耳效应的实验原理,测量霍耳元件的灵敏度,并学会用霍耳元件测量磁感应强度的方法。

  DP-FD-HL-5型霍耳效应实验仪具有以下优点:

  1.采用砷化镓霍耳元件测量,该霍耳元件具有灵敏度,线性范围广,温度系数小的特点,由于霍耳元件的作电流小,电磁铁的励磁电流也小,因而实验数据稳定可靠。

  2.实验电路布局设计合理,更多地从教学的实际效果和科研的应用考虑。如待测样品和探测元件的形状结构学生可明显观察;用个数字电压表可分别测量霍耳电压和霍耳电流等,实验教学效果很好。

  3.仪器具有保护装置,使用寿命长。

  本仪器可用于等院校、中专的基础物理实验、设计性实验和演示实验。

  应用本仪器可以成以下实验:

  1.直流磁场情况下,测量霍耳电流与霍耳电压的关系。

  2.测量砷化镓霍耳元件的灵敏度。

  3.用砷化镓霍耳元件测量矽钢片材料的磁化曲线。

  仪器主要术参数:

  1.直流稳流电源 量程0-500mA,数显分辨率1mA。

  2.四位半数字电压表 量程0-2V,分辨率0.1mV。

  3.数字式特斯拉计 量程0-0. 35T,分辨率0.0001T。

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